W laboratoriach Bella w USA, kierowany przez Bardeena i Brattaina, w 1947 roku wykonał pierwszy tranzystor z małego kawałka metalopodobnego pierwiastka chemicznego: germanu.
Urządzenie doświadczalne wyglądało prymitywnie, ale mogło wzmacniać moc sygnału 100-krotnie. Dzisiaj wszystkie komputery i urządzenia elektroniczne pracują na tej samej zasadzie.

Tranzystor ostrzowy - 1948 - J. Bardeen, W.H. Brattain (USA),
 Tranzystor warstwowy - 1949 - W. Shockley (USA),

Rok 2001. Holenderscy naukowcy z Uniwersytetu w Delft stworzyli tranzystor składający się z jednej cząsteczki! Rozmiar tego cudu miniaturyzacji wynosi zaledwie jeden nanometr (10 ^-9 m), a do zmiany swojego stanu (włączony / wyłączony) potrzebuje on tylko jednego elektronu!
Naukowcy przewidują, że ich wynalazek pozwoli na konstruowanie układów miliony razy szybszych od obecnie stosowanych, przy czym ich wielkość pozwoli na dalszą miniaturyzację elektronicznych urządzeń

Tranzystory bipolarne

Rodzaje tranzystorów
Tranzystory (z ang. Transfer Resistor) należą do grupy elementów półprzewodnikowych o regulowanym (sterowanym) przepływie nośników ładunku elektrycznego. Biorąc pod uwagę zasadę działania, tranzystory dzielimy na: bipolarne i unipolarne (polowe).
Tranzystory bipolarne są najczęściej wykonywane z krzemu, rzadziej z germanu. Ze względu na kolejność ułożenia warstw półprzewodnika rozróżniamy:
- tranzystory NPN,

- tranzystory PNP.

Mogą one być z:
- jednorodną bazą (dyfuzyjny),

- niejednorodną bazą (dryftowy).
Tranzystory polowe, zwane również w skrócie FET (ang. Field Effect Transistor), dzielimy na:

- złączowe (JFET -- ang. Junction FET);

- z izolowaną bramką (1GFET lub MOSFET -- ang. Insulated Gate FET lub Metal Oxide Semiconductor FET).

względu na rodzaj charakterystyki prądowo-napięciowej rozróżniamy tranzystory z:
-kanałem wzbogacanym (normalnie wyłączone, tzn. kanał ma przeciwny typ przewodnictwa niż podłoże i przy braku zewnętrznej polaryzacji nie występuje w tranzystorze);

- kanałem zubożanym (normalnie załączone, tzn. w kanale jest mniej nośników niż w podłożu, przy braku zewnętrznej polaryzacji tranzystora kanał istnieje).

Tranzystory, tak jak i diody, mogą być: małej, średniej i dużej mocy. Maksymalna moc wydzielana w tranzystorze zależy od powierzchni zajmowanej przez tranzystor i od sposobu odprowadzania ciepła. Ze względu na zakres przetwarzanych częstotliwości, tranzystory dzielimy na małej i wielkiej częstotliwości. O zaliczeniu ich do którejś z tych grup decydują właściwości zastosowanego półprzewodnika, wymiary konstrukcyjne jego poszczególnych elementów oraz rodzaj i czas trwania procesów technologicznych, jakim były poddawane.

Struktura tranzystora
Tranzystor bipolarny składa się z trzech obszarów półprzewodnika o przeciwnym typie przewodnictwa, co powoduje powstanie dwóch złączy: PN i NP. Każdy z trzech obszarów półprzewodnika ma swoją nazwę: baza, emiter, kolektor, a złącza nazywa się -- złączem emiterowym (złącze emiter-baza) i kolektorowym (złącze baza-kolektor).

Tranzystory polowe dzielimy na:
- złączowe (ze złączem PN)
- z izolowaną bramką

Modele struktury tranzystora:

1. odpowiadające im symbole graficzne
2. schemat graficzny

Tranzystory polowe (unipolarne -- FET)

Tranzystory polowe w skrócie zwane FET (ang. Field Effect Transistor), są również nazywane unipolarnymi. Tranzystory te mają kanał typu N lub P, który może być wzbogacany lub zubożany.
W tranzystorach unipolarnych elektrody mają następujące nazwy i oznaczenia:
S -- źródło (ang. Source),
G -- bramka (ang. Gate),
D -- dren (ang. Drain).

W tranzystorach polowych w przepływie prądu biorą udział nośniki większościowe jednego rodzaju -- dziury lub elektrony (stąd nazwa unipolarne). W tranzystorach z kanałem typu N nośnikami prądu są elektrony, a z kanałem typu P -- dziury. Wartość prądu przepływającego przez tranzystor polowy, zależy od wartości napięcia przyłożonego między źródłem a drenem oraz od wartości rezystancji kanału.

Tranzystory polowe dzielimy na:
- złączowe (ze złączem PN)
- z izolowaną bramką